合肥长鑫预计年底量产1x奈米DDR4DRAM,自主设计将成量

  • 编辑时间: 2020-06-24
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合肥长鑫预计年底量产1x奈米DDR4DRAM,自主设计将成量

虽然受到美国的压力,但中国发展记忆体的决心似乎仍未改变。就在日前中国紫光集团宣布,将在重庆投资数百亿建设 DRAM 记忆体研发中心及晶圆厂,预计最快 2021 年量产之后,现在又传出中国的合肥长鑫将在年底前生产 DDR4 DRAM 记忆体,并採第一代 1x 奈米的製程生产,初期希望能达到 2 万片的产能。


根据合肥长鑫之前公开的资料,2018 年该公司就已经与兆易创新签订了合作协议,共同开发 1x 奈米製程的 DRAM 记忆体,并且于 2018 年底正式展出了 8Gb DDR4 记忆体样品。2019 年第 3 季则再推出 8Gb LPDDR4 记忆体样品,并预计年底正式量产,月产能将达到 2 万片晶圆,后续则将不断提升到每月 12.5 万片的目标产能。

合肥长鑫预计年底量产1x奈米DDR4DRAM,自主设计将成量

或许大家还印象深刻的是,在之前的 GSA+Memory 记忆体高峰会,合肥长鑫的董事长兼执行长朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲,其中提到合肥长鑫的 DRAM 记忆体技术来源,主要就是已破产的德国奇梦达。合肥长鑫在获得了 1 千多万份奇梦达有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB 技术资料之后,斥资超过了 25 亿美元,才在此基础上改进、研发自主产权的记忆体产品。不过,这样的说法在市场上多数厂商仍旧质疑。所以,一旦合肥长鑫要真的量产 1x 奈米製程的 DDR4 DRAM 产品,势必得通过其他 DRAM 厂商检视其中专利权部分。而合肥长鑫要如何规避重重複杂的设计愈架构专利,将会是未来能否真正量产,而且在市场销售的关键。


合肥长鑫 2016 年成立于安徽合肥,目前一期工程投资就高达 72 亿美元,将建设一座月产能 12.5 万片晶圆的记忆体工厂。现阶段工厂建设已经进入了尾声,正在进行设备安装、调试阶段。而一旦进度顺利,则有望在年底前顺利量产中国的第一批 DRAM 记忆体。

合肥长鑫预计年底量产1x奈米DDR4DRAM,自主设计将成量

未来,合肥长鑫量产的 DDR4 DRAM 记忆体,若如同公司所说,完全藉由自行设计的架构,而且能顺利在市面上销售,则预计 1x 奈米製程及 8GB 的容量大小,虽然与美光、三星等公司的第 3 代 1z 奈米製程将陆续推出产品的情况还有差距,不过这却是中国记忆体生产的一个里程碑,则后续对整个记忆体市场的影响,预计将会引发关注。